RP1 · 材料與器件

寬禁帶半導體材料與先進功率器件

從 GaN 與 SiC 外延材料、器件結構到製程工藝，開發更高耐壓、更低損耗、更高可靠性的新一代功率器件，突破矽基器件的物理極限。

挑戰

矽基功率器件正接近其物理極限。要在更高電壓、更高頻率下同時實現更低損耗與更高可靠性，必須從材料與器件結構入手。

研究重點

降低位錯密度，提升大尺寸外延的均勻性與良率。

面向不同電壓等級的 HEMT、MOSFET 與新型終端結構。

研究陷阱效應、退化機理與加速試驗方法。

鈍化層、金屬接觸與封裝材料的長期穩定性。

我們歡迎來自學界、產業界與投資界的合作提案，也歡迎有志於此的研究者加入。